间隙缺陷是由位于间隙位置的杂质或其中一个晶格原子处于间隙位置而不是其晶格位置造成的。
如前所述，晶体材料是指原子在大原子距离内以重复或周期排列的形式存在的材料，也就是说，存在长程顺序，在凝固时，原子将以重复的三维模式定位自己，其中每个原子都与最近的原子结合。但现实并非如此，真正的水晶从来都不完美．总有缺点。这些缺陷的影响并不总是不利的，而且通常通过引入特定缺陷的控制数量或数量而故意形成特定的特性。
间质性缺陷
间隙缺陷是由位于间隙位置的杂质或其中一个晶格原子处于间隙位置而不是其晶格位置造成的。自间质是来自晶体的原子挤进一个间质位置。在金属中，自间质在周围晶格中引入了相对较大的变形和应力，因为原子比它所处的间质位置大得多。间隙缺陷通常是高能量构型，但这种缺陷的形成可能性不大。一些晶体中的小原子(大部分是杂质)可以占据没有高能量的间隙，比如氢。
引用:
材料科学:
- 美国能源部，材料科学部。DOE基础手册，第1卷和第2卷。1993年1月。
- 美国能源部，材料科学部。DOE基础手册，第2卷和第2卷。1993年1月。
- William D. Callister, David G. Rethwisch。材料科学与工程:导论第9版，Wiley;9版(2013年12月4日)，ISBN-13: 978-1118324578。
- 埃伯哈特，马克(2003)。为什么东西会碎:从它的分裂方式来理解世界。和谐。ISBN 978-1-4000-4760-4。
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- González-Viñas, W. & Mancini, H.L.(2004)。材料科学导论“，”普林斯顿大学出版社。ISBN 978-0-691-07097-1。
- 迈克尔·阿什比;休Shercliff;David Cebon(2007)。材料:工程，科学，加工和设计(第1版)。Butterworth-Heinemann。ISBN 978-0-7506-8391-3。
- 拉玛什，巴拉塔，《核工程概论》3d版，北京理工大学学报，2001,ISBN: 0-201-82498-1。
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间隙缺陷是由位于间隙位置的杂质或其中一个晶格原子处于间隙位置而不是其晶格位置造成的。自间质是来自晶体的原子挤进一个间质位置。在金属中，自间质在周围晶格中引入了相对较大的变形和应力，因为原子比它所处的间质位置大得多。间隙缺陷通常是高能量构型，但这种缺陷的形成可能性不大。一些晶体中的小原子(大部分是杂质)可以占据没有高能量的间隙，比如氢。